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研究開発職(パワー半導体のデバイス開発) │ 外国人の転職・就職情報はNINJA 詳細は面談時にお伝えします

日本最新招聘2024-05-20 05:06:40【日本就职】3人已围观

简介半導体設計/ 生産技術、プロセス開発/ 品質管理、製品評価、品質保証、生産管理電気・電子・機械系)仕事内容パワー半導体の「デバイス開発」「試作開発」「要素開発」を行なっていただきます。共同開発先とのチ 日本务工招聘信息

半導体設計生産技術、研究プロセス開発品質管理、開発開発製品評価、職パの転職・職情品質保証、ワーデバイス日本务工招聘信息生産管理(電気・電子・機械系)
仕事内容
パワー半導体の「デバイス開発」「試作開発」「要素開発」を行なっていただきます。半導報は
共同開発先とのチームによる新材料・新構造のデバイス開発や、体の日本务工骗局顧客との新材料デバイス開発インテグレーションをパートナー企業と一緒に試作などを行います。│外

※法定による業務内容の変更の範囲の明示:将来的国人に業務内容が変更される場合があります。詳細は面談時にお伝えします。研究
応募資格

【必須スキル・資格】
日本語:ネイティブレベル
英語:問わない

・日本語でのコミュニケーションがネイティブレベル
・研究開発を経験されてきた方

【歓迎スキル・資格】

研究開発職(パワー半導体のデバイス開発) │ 外国人の転職・就職情報はNINJA 詳細は面談時にお伝えします


雇用形態
正社員
給与
年収: 264〜720万円
220,開発開発000~ 600,000円 ※業務経験などにより優遇
勤務地
山梨県大阪府
本社(大阪府枚方市津田山手)
他、山梨県にも営業所有(韮崎市)

※法定による就業場所の変更の範囲の明示:将来的職パの転職・職情に就業場所が変更される場合があります。詳細は面談時にお伝えします。ワーデバイス
勤務時間
8:45〜17:15
所定7時間45分(休憩時間 12:15〜13:00 45分)
休日・休暇
土・日・祝日
完全週休2日制、出国劳务半導報は日本务工工资怎么样他会社カレンダーによる
福利厚生
採用の流れ
書類選考

一次面接

最終面接

内定
受動喫煙対策
有(屋内禁煙)
日本語使用割合
70%
役職・部署
【取扱い紹介会社】株式会社イオンテクノセンター
代表者役職/氏名
代表取締役社長 石垣 祐紀
有料職業紹介事業許可番号
27-ユ-303582
設立
2008年6月10日
資本金
従業員数
40名
事業内容

【イオン注入】
研究開発サポートから少量量産まで、体の幅広く対応しています。│外


【分析サービス】
半導体・エレクトロニクス関連材料など、各種材料の研究開発・品質管理を物理分析や各種評価技術で支援しています。


【ERM事業部】
研究開発や分析評価からものづくりまで、半導体を中心としたBPOサービス、人材派遣、職業紹介サービスを提供いたします。


【半導体プロセス・研究開発】
半導体を中心に基礎研究から新規材料開発、デバイス開発まで社会課題・ニーズにお応えすべく自社、共同研究、委託研究を行っております。
研究段階から量産までの半導体の前工程試作をニーズに合わせて設計から特性評価まで対応いたします。

事業所
大阪府枚方市津田山手2丁目8番1号
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